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GH605鈷基變形高溫合金

簡要描述:GH605品種規(guī)格與供應狀態(tài) 可以供應δ≤14mm的熱軋中板、δ≤4mm的冷軋板材、δ0.05~0.80mm的冷軋帶材、δ0.20~0.80mm的冷硬帶材、d0.2~10.0mm的焊絲、d≤300mm的棒材和各種直徑及壁厚的環(huán)形件。中板和薄板經(jīng)固溶、堿suan洗、切邊后供應;帶材經(jīng)固溶、堿suan洗、切邊后成卷供應;冷硬帶材經(jīng)固溶、冷軋、退火、拋光和切邊后供應;焊絲以硬態(tài)、半硬態(tài)、固溶加suan洗

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-03-26
  • 訪  問  量:351
詳情介紹

GH605鈷基變形高溫合金

材料型號GH605

相近型號L605/HS25/WF-11/AIS1670

USA型號UNSR30605

法國型號KC20WN

GH605概述

GH605是以20Cr和15W固溶強化的鈷基高溫合金,在815℃以下具有中等的持久和蠕變強度,在1090℃以下具有優(yōu)良的抗yang化性能,同時具有滿意的成形、焊接等工藝性能。適用于制造航空發(fā)動機燃燒室和導向葉片等要求中等強度和優(yōu)良的高溫抗yang化性能的熱端高溫零部件。也可在航天發(fā)動機和航天飛機上使用??缮a(chǎn)供應各種變形產(chǎn)品,如薄板、中板、帶材、棒材、鍛件、絲材以及精密鑄件。

1.1 GH605材料型號 GH605。

1.2 GH605相近型號 L605,HS25,WF-11,AlS1670,UNSR30605(USA)、KC20WN(法國)。

1.3 GH605材料的技術標準

1.4 GH605化學成分  見表1-1。

 1-1 %

C

Cr

Ni

W

Co

Mn

Fe

Si

P

S

不大于

0.05~0.15

19.0~21.0

9.0~11.0

14.0~16.0

1.0~2.0

3.0

0.40

0.040

0.030

1.5 GH605熱處理制度 板材、帶材:1175~1230℃,快速冷卻;環(huán)形件:1175~1230℃,保溫不少于15min,水冷或快速空冷;棒材(機加工用):1175~1230℃,快速冷卻。

1.6 GH605品種規(guī)格與供應狀態(tài) 可以供應δ≤14mm的熱軋中板、δ≤4mm的冷軋板材、δ0.05~0.80mm的冷軋帶材、δ0.20~0.80mm的冷硬帶材、d0.2~10.0mm的焊絲、d≤300mm的棒材和各種直徑及壁厚的環(huán)形件。中板和薄板經(jīng)固溶、堿suan洗、切邊后供應;帶材經(jīng)固溶、堿suan洗、切邊后成卷供應;冷硬帶材經(jīng)固溶、冷軋、退火、拋光和切邊后供應;焊絲以硬態(tài)、半硬態(tài)、固溶加suan洗、光亮固溶處理狀態(tài)成盤交貨,也可以直條交貨;環(huán)形件經(jīng)固溶處理粗加工或除yang化皮后供應;機加工用棒材經(jīng)退火后suan洗或磨光后供應,熱加工用棒材可經(jīng)退火并磨光后交貨。

1.7 GH605熔煉與鑄造工藝 合金采用電弧爐或非真空感應爐熔煉后再經(jīng)電渣重熔,或采用真空感應熔煉加電渣重熔。

1.8 GH605應用概況與特殊要求 主要在引進機種上使用,用于制造導向葉片、渦輪外環(huán)、外壁、渦流器、封嚴片等高溫零部件。該合金對硅含量很敏感,硅可促使合金在760~925℃之間暴露時形成Co2W型L相,從而使合金的室溫塑性下降,因此合金中的硅含量應控制小于0.4%。

二、GH605物理及化學性能

2.1 GH605熱性能

2.1.1 GH605熔化溫度范圍  1330~1410℃[1]。

2.1.2 GH605熱導率  見圖2-1。

2.1.3 GH605比熱容 合金于20~100℃時的比熱容c=377J/(kg·℃)[1,2,3]。

2.1.4 GH605線膨脹系數(shù) 見表2-1。

2-1[4]

θ/℃

20~200

20~400

20~500

20~600

20~700

20~800

20~900

20~1000

20~1100

α/10-6-1

12.9

13.8

14.2

14.6

15.1

15.7

16.3

17.0

17.8

2.2 GH605密度 ρ=9.13g/cm3[1,3]。

2.3 GH605電性能

2.3.1 GH605不同溫度的電阻率見表2-2。

2.3.2 GH605冷加工量為25%的合金在低溫下的電阻率見圖2-2。

2.4 GH605磁性能 合金無磁性。

  2-2[2]

θ/℃

25

400

800

1000

ρ/(10-6Ω·m)

2.30

2.62

2.87

2.91





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